The Effect of Oxidation Temperature on the (1000–1300) cm−1 Band in FT-IR Spectra of Silicon Oxide Synthesized by Thermal Oxidation of Silicon Wafers
المصدر: Silicon · الاستشهادات (Scopus): 1
| المجلد | 14 |
|---|---|
| العدد | 15 |
| الصفحات | 10081-10086 |
| DOI | 10.1007/s12633-022-01732-5 |
| نوع المنشور | مقالة دورية |
| الفهرسة | Scopus |